半導体

　【概要】半導体工学のショットキー特性について。 【目的】卒業論文でP型半導体の特性について研究しております。 【依頼背景】P型半導体でショットキー特性を得ようとしましたが得ることができず、P型半導体と金属の界面にSiO2膜を成膜することにより、ショットキーになるのではないかと考えました。 MOS構造のダイオードはコンデンサのようなもので電流を流すうちに電荷が溜まってしまい電流が流れなくなってしまうが何か条件をクリアすると整流作用の特性が得られると教授には助言を頂きました。 【提案の際のお願い】 この根拠となる部分を自分では見つけられなかったため、見つけて頂きたいです。 また、森田瑞穂教授の研究報告を参考にすると良いと言われました。